结深对65nm体硅CMOS晶体管单粒子瞬态脉冲的影响
【出 处】:
【作 者】:
刘蓉容
池雅庆
窦强
【摘 要】使用TCAD模拟工具,分析了纳米工艺下N+-N结、p+-p结和PN结深度的变化对PMOS以及NMOS单粒子瞬态(SET)脉冲宽度的影响,并考虑了电压温度变化下结深对晶体管单粒子瞬态的影响程度.结果表明,N+-N结的变化对PMOS晶体管单粒子瞬态脉冲宽度的影响最为显著.同时,还分析出N+-N、P+-P结在不同电压下的差异性较为明显,PN结在不同温度下的差异性较为显著.
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