阱接触面积对PMOS单粒子瞬态脉冲宽度的影响
【出 处】:《
计算机工程与科学
》
CSCD
2015年第37卷第6期 1053-1057页,共5页
【作 者】:
刘蓉容
[1] ;
池雅庆
[1,2] ;
何益百
[1] ;
窦强
[1]
【摘 要】
使用TCAD模拟工具分析了纳米工艺下阱接触面积对PMOS SET脉冲宽度的影响。结果表明,纳米工艺下,当存在脉冲窄化效应时,增加阱接触面积会导致SET脉冲变宽,这与传统的通过增加阱接触面积可抑制SET脉冲的观点正好相反。同时,还分析了不同入射粒子LET值以及晶体管间距条件对该现象的作用趋势。
相关热词搜索: 阱接触面积 单粒子瞬态 PMOS 脉冲宽度 well contact area single event transient PMOS pulse width