2~5GHz 0.18μm CMOS宽带低噪声放大器设计
【出 处】:《
计算机工程与科学
》
CSCD
2011年第33卷第2期 61-64页,共4页
【作 者】:
何小威
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张民选
【摘 要】
本文设计实现了一个2~5GHz的两级CMOS低噪声放大器(LNA),可应用在超宽带的下半频段(3.1~5GHz)。LNA由两级组成,第一级是一个共栅级,保持良好的线性度并完成较好的输入匹配;第二级是一个共源级堆叠一个电流源,在保持低噪声系数的同时降低功耗。通过级联共栅和共源结构进行增益补偿,所设计的LNA具有近似恒定的增益和噪声系数。采用0.18μm CMOS工艺实现后,模拟结果表明,增益和噪声系数在2~5GHz频率范围内分别为11.5dB和5.1dB,输入反射系数低于-22dB。在4GHz时,模拟得到的三阶交调点为-10dBm。在1.8V电源电压下,LNA的功耗约为11mW。
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